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硅鋁合金球應用情況概述

來源: 發布時間:2021-08-10

  硅鋁合金球的熱膨脹系數低,密度低,導熱系數高,導電性好(電磁干擾/射頻干擾屏蔽性能優異),硬度高,熱機械穩定性好,密度高,加工方便,涂層保護方便,以及組裝工藝的標準微電子兼容性等。

  這種球里面的硅含量為27%-70%,實用性強。通過增加鋁基體中硅的過飽和度,形成的硅顆粒提高了鋁基復合材料的強度。通過調整硅的體積分數,可以得到不同性能的高硅鋁合金材料。

  高硅鋁合金的密度在2.3~4.7g/cm3之間,熱膨脹系數(CTE)在7~20ppm/℃之間。增加硅含量可以顯著降低合金材料的密度和熱膨脹系數。同時,高硅鋁合金還具有良好的導熱性、較高的比強度和剛度,與金、銀、銅、鎳涂層具有良好的性能,可焊接到基體上,易于加工。

  電子封裝材料是一種應用前景廣闊的電子封裝材料,特別是在航空航天、空間技術、便攜式電子器件等高科技領域[1] 高硅鋁合金(AlSi)由硅和鋁組成,是一種金屬基熱管理復合材料。

  硅鋁合金球能保持硅和鋁的優良性能,硅和鋁的含量相當豐富。硅粉制備工藝成熟,成本低。同時,這種材料不污染環境,對人體無害。


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